Транзистор RJK005N03FRA
RJK005N03FRA - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: SMT3
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 0.2 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 30 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 12 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 1.5 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 0.5 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.58 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 2 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 11 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 24 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор RJK005N03FRA можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| PMZB380XN |
SMD |
N |
0.36 |
30 |
12 |
1.5 |
0.93 |
0.46 |
0.65 |
9.5 |
8.6 |
150 |
DFN1006B-3 |
| RJK005N03T146 |
SMD |
N |
0.2 |
30 |
12 |
1.5 |
0.5 |
0.58 |
2 |
11 |
24 |
150 |
SMT3 |
| RTF015N03TL |
SMD |
N |
0.8 |
30 |
12 |
1.5 |
1.5 |
0.24 |
1.6 |
9 |
14 |
150 |
TUMT3 |