Транзистор RJK0206DPA
RJK0206DPA - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: WPAK
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 65 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 25 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 70 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.0018 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 8.7 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 1600 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор RJK0206DPA можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| AON6240 |
SMD |
N |
83 |
40 |
20 |
2.4 |
85 |
0.0016 |
- |
5.5 |
1395 |
150 |
DFN5X6 |
| AON6512 |
SMD |
N |
83 |
30 |
20 |
2 |
150 |
0.0017 |
- |
5 |
1327 |
150 |
DFN5X6 |
| AON6752 |
SMD |
N |
83 |
30 |
20 |
2.2 |
85 |
0.0017 |
- |
7 |
1468 |
150 |
DFN5X6 |
| AON6754 |
SMD |
N |
83 |
30 |
20 |
2.4 |
85 |
0.0018 |
- |
6.3 |
1200 |
150 |
DFN5X6 |
| FDMC8010ET30 |
SMD |
N |
65 |
30 |
20 |
2.5 |
174 |
0.0013 |
- |
7.5 |
1570 |
175 |
Power33 |