Транзистор RJK0210DPA
RJK0210DPA - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: WPAK
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 45 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 25 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 16 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 40 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.0054 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 3.5 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 750 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор RJK0210DPA можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| AOL1242 |
SMD |
N |
68 |
40 |
20 |
2.3 |
69 |
0.0052 |
- |
2.5 |
405 |
175 |
UltraSO-8 |
| AON6234 |
SMD |
N |
83 |
40 |
20 |
2.4 |
85 |
0.0034 |
- |
3 |
612 |
150 |
DFN5X6 |
| AON6244 |
SMD |
N |
83 |
60 |
20 |
2.5 |
85 |
0.0047 |
- |
3 |
415 |
150 |
DFN5X6 |