Транзистор RJK0226DNS
RJK0226DNS - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: HVSON
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 30 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 25 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 12 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 40 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.0028 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 31 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 8.7 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 565 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор RJK0226DNS можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| RJK03M1DPA |
SMD |
N |
45 |
30 |
20 |
- |
50 |
0.0023 |
25 |
4.4 |
560 |
150 |
WPAK |
| RJK03M2DPA |
SMD |
N |
40 |
30 |
20 |
- |
45 |
0.0028 |
21.2 |
4 |
435 |
150 |
WPAK |