Транзистор RJK0329DPB
RJK0329DPB - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: LFPAK
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 60 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 30 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 55 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.0023 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 4 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 980 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор RJK0329DPB можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| CSD18535KCS |
PTH |
N |
300 |
60 |
20 |
2.4 |
200 |
0.002 |
63 |
3 |
890 |
175 |
TO-220 |
| RJK0329DPB-00 |
SMD |
N |
60 |
30 |
20 |
- |
55 |
0.0023 |
35 |
4 |
980 |
150 |
LFPAK |
| RJK0329DPB-01 |
SMD |
N |
60 |
30 |
20 |
- |
55 |
0.0023 |
35 |
4 |
980 |
150 |
LFPAK |