Транзистор RJK0395DPA
RJK0395DPA - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: WPAK
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 30 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 30 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 30 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.0077 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 4.9 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 225 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор RJK0395DPA можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| AOD418 |
SMD |
N |
50 |
30 |
20 |
2.5 |
36 |
0.0075 |
- |
2 |
180 |
175 |
TO-252 |
| AON6536 |
SMD |
N |
35.5 |
30 |
20 |
2.5 |
55 |
0.007 |
- |
3 |
210 |
150 |
DFN5X6 |
| AON6586 |
SMD |
N |
41 |
30 |
20 |
2.5 |
35 |
0.0075 |
- |
2 |
180 |
150 |
DFN5X6 |
| AON6596 |
SMD |
N |
41 |
30 |
20 |
2.5 |
35 |
0.0075 |
- |
2 |
180 |
150 |
DFN5X6 |
| MTB6D0N03AH8 |
SMD |
N |
50 |
30 |
20 |
- |
56 |
0.0068 |
- |
4 |
153 |
150 |
DFN5X6 |
| MTB6D0N03ATH8 |
SMD |
N |
50 |
30 |
20 |
- |
56 |
0.0068 |
- |
4 |
153 |
150 |
DFN5X6 |
| QM4006D |
SMD |
N |
44.6 |
40 |
20 |
2.5 |
60 |
0.0075 |
18.8 |
2.6 |
193 |
150 |
TO-252 |
| RJK03M5DPA |
SMD |
N |
30 |
30 |
20 |
- |
30 |
0.0065 |
10.4 |
3 |
220 |
150 |
WPAK |