Транзистор RJK03C0DPA
RJK03C0DPA - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: WPAK
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 65 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 30 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 70 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.002 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 66 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 14.2 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 1440 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор RJK03C0DPA можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| CSD18535KCS |
PTH |
N |
300 |
60 |
20 |
2.4 |
200 |
0.002 |
63 |
3 |
890 |
175 |
TO-220 |