Транзистор RJK03C1DPB
RJK03C1DPB - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: LFPAK
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 65 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 30 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 60 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.0022 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 42 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 19 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 1230 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор RJK03C1DPB можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| AP0203GMT-HF |
SMD |
N |
83.3 |
30 |
20 |
- |
155 |
0.0022 |
38 |
11.5 |
820 |
150 |
PMPAK5X6 |
| RJK0328DPB |
SMD |
N |
65 |
30 |
20 |
2.5 |
60 |
0.0021 |
42 |
4.3 |
1150 |
150 |
LFPAK |