Транзистор RJK03E0DNS
RJK03E0DNS - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: HWSON8
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 20 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 30 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 30 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.0056 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 5.1 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 300 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор RJK03E0DNS можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| AON7426 |
SMD |
N |
29 |
30 |
20 |
2.35 |
40 |
0.0055 |
44 |
4 |
283 |
150 |
DFN3X3 |
| RJK03M4DPA |
SMD |
N |
30 |
30 |
20 |
- |
35 |
0.0046 |
12 |
2.4 |
260 |
150 |
WPAK |