Транзистор RJK03E3DNS

RJK03E3DNS - Транзистор полевой MOSFET структуры N

• Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
• Корпус: HWSON8

Основные характеристики:

• Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 10 Вт
• Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 30 В
• Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
• Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
• Максимальный постоянный ток стока, Id: 14 А
• Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.0116 Ом
• Общий заряд затвора, Qg: -
• Время нарастания импульса открытия, Tr: 3.8 нС
• Входная емкость (затвор-исток), Ci: 108 пФ
• Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор RJK03E3DNS можно заменить на:

Нет элементов для замены