Транзистор RJK03H1DPA
RJK03H1DPA - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: WPAK
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 45 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 30 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 12 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 45 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.003 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 9.4 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 590 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор RJK03H1DPA можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| MTB3D0N03ATH8 |
SMD |
N |
50 |
30 |
20 |
- |
75 |
0.0029 |
38 |
8 |
436 |
150 |
DFN5X6 |
| RJK03E7DPA |
SMD |
N |
45 |
30 |
12 |
- |
45 |
0.0028 |
- |
7.7 |
560 |
150 |
WPAK |
| RJK03M1DPA |
SMD |
N |
45 |
30 |
20 |
- |
50 |
0.0023 |
25 |
4.4 |
560 |
150 |
WPAK |