Транзистор RJK0455DPB
RJK0455DPB - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: LFPAK
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 60 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 40 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 45 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.0031 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 34 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: -
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор RJK0455DPB можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| AP0103GP-HF |
PTH |
N |
250 |
40 |
20 |
- |
220 |
0.00299 |
30 |
80 |
605 |
150 |
TO-220 |
| CSD18502KCS |
PTH |
N |
259 |
40 |
20 |
2.1 |
100 |
0.0029 |
25 |
7.3 |
900 |
175 |
TO-220 |