Транзистор RJK0456DPB

RJK0456DPB - Транзистор полевой MOSFET структуры N

• Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
• Корпус: LFPAK

Основные характеристики:

• Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 65 Вт
• Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 40 В
• Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
• Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
• Максимальный постоянный ток стока, Id: 50 А
• Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.0032 Ом
• Общий заряд затвора, Qg: 39 нКл
• Время нарастания импульса открытия, Tr: 6.8 нС
• Входная емкость (затвор-исток), Ci: 900 пФ
• Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор RJK0456DPB можно заменить на:

Нет элементов для замены