Транзистор RJK0855DPB

RJK0855DPB - Транзистор полевой MOSFET структуры N

• Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
• Корпус: LFPAK

Основные характеристики:

• Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 60 Вт
• Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 80 В
• Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
• Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
• Максимальный постоянный ток стока, Id: 30 А
• Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.0082 Ом
• Общий заряд затвора, Qg: 35 нКл
• Время нарастания импульса открытия, Tr: -
• Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
• Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор RJK0855DPB можно заменить на:

Нет элементов для замены