Транзистор RJK1053DPB
RJK1053DPB - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: LFPAK
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 65 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 100 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 25 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.013 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 43 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 5.6 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 508 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор RJK1053DPB можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| CSD19533KCS |
PTH |
N |
188 |
100 |
20 |
3.4 |
86 |
0.0105 |
27 |
5 |
395 |
175 |
TO-220 |