Транзистор RJK1055DPB
RJK1055DPB - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: LFPAK
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 60 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 100 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 23 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.013 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 35 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: -
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор RJK1055DPB можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| CSD19533KCS |
PTH |
N |
188 |
100 |
20 |
3.4 |
86 |
0.0105 |
27 |
5 |
395 |
175 |
TO-220 |
| FDD86110 |
SMD |
N |
127 |
100 |
20 |
4 |
50 |
0.0102 |
25 |
- |
- |
150 |
TO-252 |
| FDMS86201 |
SMD |
N |
104 |
120 |
20 |
4 |
35 |
0.0115 |
32 |
- |
- |
150 |
Power56 |
| FDP085N10A_F102 |
PTH |
N |
188 |
100 |
20 |
- |
68 |
0.0085 |
31 |
- |
- |
175 |
TO-220 |
| SQJ402EP |
SMD |
N |
83 |
100 |
20 |
2.5 |
32 |
0.011 |
34 |
10 |
722 |
175 |
PowerPAKSO-8L |
| TK33S10N1Z |
SMD |
N |
125 |
100 |
20 |
4 |
33 |
0.0097 |
28 |
8.4 |
1070 |
175 |
DPAK |