Транзистор RJK5012DPE
RJK5012DPE - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: LDPAK-S
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 100 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 500 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 30 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 12 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.62 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 29 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 23 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 120 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор RJK5012DPE можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| STB13N80K5 |
SMD |
N |
190 |
800 |
30 |
5 |
12 |
0.45 |
29 |
16 |
50 |
150 |
D2PAK |
| STP13N80K5 |
PTH |
N |
190 |
800 |
30 |
5 |
12 |
0.45 |
29 |
16 |
50 |
150 |
TO-220 |
| STW13N80K5 |
PTH |
N |
190 |
800 |
30 |
5 |
12 |
0.45 |
29 |
16 |
50 |
150 |
TO-247 |