Справочник электронных компонентов

Транзистор RJK6020DPK

RJK6020DPK - Транзистор полевой MOSFET структуры N

Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
Корпус: TO-3P

Основные характеристики:

Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 200 Вт
Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 600 В
Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 30 В
Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
Максимальный постоянный ток стока, Id: 32 А
Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.175 Ом
Общий заряд затвора, Qg: 121 нКл
Время нарастания импульса открытия, Tr: 100 нС
Входная емкость (затвор-исток), Ci: 480 пФ
Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор RJK6020DPK можно заменить на:

НАЗВАНИЕ	ТИП	СТР.	Pd, Вт	Vds, В	Vgs, В	Vgsth, В	Id, А	Rds, Ом	Qg, нКл	Tr, нС	Ci, пФ	Tj, гр.Ц	КОРПУС
AOK42S60	PTH	N	417	600	30	-	39	0.099	40	53	135	150	TO-247
AOT42S60	PTH	N	417	600	30	-	37	0.109	40	53	135	150	TO-220
FCB36N60NTM	SMD	N	312	600	30	4	36	0.09	112	22	149	150	D2PAK
SIHB33N60EF	SMD	N	278	600	30	4	33	0.098	103	43	154	150	TO-263
SIHG33N60EF	PTH	N	278	600	30	4	33	0.098	103	43	154	150	TO-247AC
SIHP33N60EF	PTH	N	278	600	30	4	33	0.098	103	43	154	150	TO-220AB
STW40N95K5	PTH	N	450	950	30	5	38	0.13	93	51	250	150	TO-247