Справочник электронных компонентов

Транзистор RJK6026DPE

RJK6026DPE - Транзистор полевой MOSFET структуры N

Основные характеристики:

Транзистор RJK6026DPE можно заменить на:

НАЗВАНИЕ ТИП СТР. Pd, Вт Vds, В Vgs, В Vgsth, В Id, А Rds, Ом Qg, нКл Tr, нС Ci, пФ Tj, гр.Ц КОРПУС
AOB7S60 SMD N 104 600 30 3.9 7 0.6 - 13 28 150 TO-263
AOB7S60L SMD N 104 600 30 3.9 7 0.54 - 13 28 150 TO-263
AOB7S65 SMD N 104 650 30 4 7 0.65 - 14 30 150 TO-263
AOB7S65L SMD N 104 650 30 4 7 0.65 - 14 30 150 TO-263
AOD7S60 SMD N 83 600 30 3.9 7 0.6 - 13 28 150 TO-252
AOD7S65 SMD N 89 650 30 4 7 0.65 - 14 30 150 TO-252
AOI7S65 PTH N 89 650 30 4 7 0.65 - 14 30 150 TO-251A
AOT7S60 PTH N 104 600 30 3.9 7 0.6 - 13 28 150 TO-220
AOT7S60L PTH N 104 600 30 3.9 7 0.6 - 13 28 150 TO-220
AOT7S65 PTH N 104 650 30 - 7 0.65 - 14 30 150 TO-220
AOT7S65L PTH N 104 650 30 3.3 7 0.65 - 14 30 150 TO-220
AOU7S60 PTH N 83 600 30 3.9 7 0.6 - 13 28 150 TO-251
AOU7S65 PTH N 89 650 30 4 7 0.65 - 14 30 150 TO-251
AOW7S60 PTH N 104 600 30 3.9 7 0.6 - 13 28 150 TO-262
AOW7S65 PTH N 104 650 30 4 7 0.65 - 14 30 150 TO-262
SIHB6N65E SMD N 78 650 30 4 7 0.6 24 12 40 150 TO-263
SIHD6N62E SMD N 78 620 30 4 6 0.9 17 10 36 150 TO-252
SIHD6N65E SMD N 78 650 30 4 7 0.6 24 12 40 150 TO-252
SIHP6N65E PTH N 78 650 30 4 7 0.6 24 12 40 150 TO-220AB
SIHU6N62E PTH N 78 620 30 4 6 0.9 17 10 36 150 TO-251
SIHU6N65E PTH N 78 650 30 4 7 0.6 24 12 40 150 TO-251
SSF7NS65G PTH N 83 650 30 - 7 0.65 - 5.8 26.5 150 TO-251
SSF8NP60U PTH N 62.5 600 30 - 8 0.85 - 14 19 150 TO-220
STD7N80K5 SMD N 110 800 30 5 6 1.2 13.4 8.3 30 150 DPAK
STP10N105K5 PTH N 130 1050 30 5 6 1.3 21.5 8 30 150 TO-220
STP7N80K5 PTH N 110 800 30 5 6 1.2 13.4 8.3 30 150 TO-220
STU6N95K5 PTH N 90 950 30 5 9 1.25 13 12 30 150 IPAK
STU7N80K5 PTH N 110 800 30 5 6 1.2 13.4 8.3 30 150 IPAK
STW10N105K5 PTH N 130 1050 30 5 6 1.3 21.5 8 30 150 TO-247
TK9P65W SMD N 80 650 30 3.5 9.3 0.56 20 16 20 150 DPAK
TK9Q65W PTH N 80 650 30 3.5 9.3 0.56 20 16 20 150 IPAK