Транзистор RJP020N06T100
RJP020N06T100 - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: MPT3
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 0.5 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 60 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 12 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 1.5 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 2 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.24 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 5 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 18 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 50 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор RJP020N06T100 можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| SML2308CSM4 |
SMD |
N |
0.8 |
60 |
20 |
1.5 |
2 |
0.2 |
4.8 |
10 |
50 |
150 |
LCC3 |