Транзистор RJU003N03FRA
RJU003N03FRA - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: UMT3
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 0.2 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 30 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 12 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 1.5 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 0.3 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 1.1 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 4 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 11 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор RJU003N03FRA можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| RJU003N03T106 |
SMD |
N |
0.2 |
30 |
12 |
1.5 |
0.3 |
1.1 |
- |
4 |
11 |
150 |
UMT3 |