Транзистор RMW200N03
RMW200N03 - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: PSOP-8
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 3 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 30 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 20 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.003 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 50 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 580 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор RMW200N03 можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| AP9450GYT-HF |
SMD |
N |
3.12 |
30 |
20 |
- |
50 |
0.0028 |
33 |
15 |
400 |
150 |
PMPAK3X3 |
| CSD17576Q5B |
SMD |
N |
3.1 |
30 |
20 |
1.8 |
30 |
0.002 |
25 |
16 |
389 |
150 |
SON5X6 |
| MDU1517RH |
SMD |
N |
5.5 |
30 |
20 |
2.7 |
32.9 |
0.0029 |
- |
12.1 |
531 |
150 |
PowerDFN56 |
| PE610SA |
SMD |
N |
20 |
30 |
20 |
- |
62 |
0.003 |
- |
22 |
407 |
150 |
PDFN3X3P |
| RS1E280GN |
SMD |
N |
3 |
30 |
20 |
2.5 |
28 |
0.0026 |
36 |
12.3 |
550 |
150 |
HSOP8 |
| SIR820DP |
SMD |
N |
5 |
30 |
20 |
2.4 |
30 |
0.003 |
63 |
15 |
447 |
150 |
SO-8 |