Транзистор RQ1A060ZP
RQ1A060ZP - Транзистор полевой MOSFET структуры P
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: TSMT8
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 1.5 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 12 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 10 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 6 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.016 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 34 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 105 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 340 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор RQ1A060ZP можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| AM4407 |
SMD |
P |
3.2 |
30 |
20 |
2.5 |
12 |
0.015 |
21 |
35 |
320 |
150 |
SOP-8 |
| QM3005M3 |
SMD |
P |
1.67 |
30 |
20 |
2.5 |
9 |
0.014 |
22 |
73.7 |
310 |
150 |
PRPAK3X3 |
| QM3005N3 |
SMD |
P |
1.67 |
30 |
25 |
2.5 |
9 |
0.014 |
22 |
73.7 |
310 |
150 |
DFN3X3 |
| SM3305PSQA |
SMD |
P |
3.1 |
30 |
25 |
2.5 |
13 |
0.012 |
31 |
15 |
315 |
150 |
DFN3X3-8 |
| SM3305PSQG |
SMD |
P |
3.1 |
30 |
25 |
2.5 |
13 |
0.012 |
31 |
15 |
315 |
150 |
DFN3X3-8 |