Транзистор RQ1A060ZPTR
RQ1A060ZPTR - Транзистор полевой MOSFET структуры P
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: TSMT8
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 1.5 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 12 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 10 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 1 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 6 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.023 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 34 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 105 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 340 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор RQ1A060ZPTR можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| AM7333P |
SMD |
P |
3.5 |
30 |
20 |
1 |
10.9 |
0.02 |
32 |
39 |
252 |
150 |
DFN3X3-8L |
| AM7333PE |
SMD |
P |
3.5 |
30 |
20 |
1 |
10.9 |
0.02 |
22 |
35 |
242 |
150 |
DFN3X3-8L |
| STS7P4LLF6 |
SMD |
P |
2.7 |
40 |
20 |
1 |
7 |
0.0205 |
22 |
47 |
270 |
150 |
SO-8 |