Транзистор RQ1A070ZP
RQ1A070ZP - Транзистор полевой MOSFET структуры P
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: TSMT8
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 1.5 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 12 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 10 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 7 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.008 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 58 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 95 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 800 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор RQ1A070ZP можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| AO4447 |
SMD |
P |
3.1 |
30 |
20 |
1.6 |
15 |
0.0075 |
45.2 |
11.5 |
745 |
150 |
SO-8 |
| AP2611GYT-HF |
SMD |
P |
3.12 |
20 |
12 |
- |
15.4 |
0.008 |
50 |
22 |
615 |
150 |
PMPAK3X3 |
| AP4409AGEM |
SMD |
P |
2.5 |
35 |
20 |
3 |
14.5 |
0.0075 |
58 |
13 |
640 |
150 |
SO-8 |
| IRF9317PBF |
SMD |
P |
2.5 |
30 |
20 |
2.4 |
16 |
0.0066 |
31 |
64 |
640 |
150 |
SO-8 |
| IRF9321PBF |
SMD |
P |
2.5 |
30 |
20 |
2.4 |
15 |
0.0072 |
34 |
79 |
590 |
150 |
SO-8 |
| MTP4409Q8 |
SMD |
P |
3.1 |
30 |
25 |
- |
15 |
0.0077 |
56 |
19 |
498 |
150 |
SOP-8 |