Транзистор RQ1A070ZPTR

RQ1A070ZPTR - Транзистор полевой MOSFET структуры P

• Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
• Корпус: TSMT8

Основные характеристики:

• Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 1.5 Вт
• Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 12 В
• Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 10 В
• Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 1 В
• Максимальный постоянный ток стока, Id: 7 А
• Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.012 Ом
• Общий заряд затвора, Qg: 58 нКл
• Время нарастания импульса открытия, Tr: 95 нС
• Входная емкость (затвор-исток), Ci: 800 пФ
• Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор RQ1A070ZPTR можно заменить на:

Нет элементов для замены