Транзистор RQ1E050RPTR

RQ1E050RPTR - Транзистор полевой MOSFET структуры P

• Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
• Корпус: TSMT8

Основные характеристики:

• Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 1.5 Вт
• Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 30 В
• Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
• Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 2.5 В
• Максимальный постоянный ток стока, Id: 5 А
• Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.031 Ом
• Общий заряд затвора, Qg: 0.013 нКл
• Время нарастания импульса открытия, Tr: 15 нС
• Входная емкость (затвор-исток), Ci: 180 пФ
• Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор RQ1E050RPTR можно заменить на:

Нет элементов для замены