Транзистор RQ3E080BN

RQ3E080BN - Транзистор полевой MOSFET структуры N

• Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
• Корпус: HSMT8

Основные характеристики:

• Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 2 Вт
• Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 30 В
• Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
• Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 2.5 В
• Максимальный постоянный ток стока, Id: 8 А
• Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.0152 Ом
• Общий заряд затвора, Qg: 14.5 нКл
• Время нарастания импульса открытия, Tr: 20 нС
• Входная емкость (затвор-исток), Ci: 90 пФ
• Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор RQ3E080BN можно заменить на:

Нет элементов для замены