Транзистор RQ3E100MN
RQ3E100MN - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: HSMT8
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 2 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 30 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 2.5 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 10 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.0123 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 9.9 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 17 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 185 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор RQ3E100MN можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| RF4E110GN |
SMD |
N |
2 |
30 |
20 |
2.5 |
11 |
0.0113 |
7.4 |
5.5 |
152 |
150 |
DFN2020-8S |
| RQ3E100GN |
SMD |
N |
2 |
30 |
20 |
2.5 |
10 |
0.0117 |
7.9 |
4.3 |
120 |
150 |
HSMT8 |
| RS1E130GN |
SMD |
N |
3 |
30 |
20 |
2.5 |
13 |
0.0117 |
7.9 |
4.3 |
120 |
150 |
HSOP8 |