Транзистор RQ3E120BN
RQ3E120BN - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: HSMT8
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 2 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 30 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 2.5 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 12 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.0093 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 29 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 30 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 175 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор RQ3E120BN можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| RQ3E120GN |
SMD |
N |
2 |
30 |
20 |
2.5 |
12 |
0.0088 |
10 |
4.5 |
160 |
150 |
HSMT8 |
| RS1E150GN |
SMD |
N |
3 |
30 |
20 |
2.5 |
15 |
0.0088 |
10 |
4.5 |
160 |
150 |
HSOP8 |