Транзистор RQ3E130MN
RQ3E130MN - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: HSMT8
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 2 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 30 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 2.5 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 13 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.0081 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 14 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 18 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 360 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор RQ3E130MN можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| RS1E170GN |
SMD |
N |
3 |
30 |
20 |
2.5 |
17 |
0.0067 |
12 |
4.8 |
240 |
150 |
HSOP8 |
| TSM35N03PQ56 |
SMD |
N |
4.2 |
30 |
25 |
2.5 |
22 |
0.007 |
8.2 |
9 |
210 |
150 |
PDFN5X6 |