Транзистор RQ5A030AP

RQ5A030AP - Транзистор полевой MOSFET структуры P

• Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
• Корпус: TSMT3

Основные характеристики:

• Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 1 Вт
• Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 12 В
• Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
• Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 1 В
• Максимальный постоянный ток стока, Id: 8 А
• Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.062 Ом
• Общий заряд затвора, Qg: 16 нКл
• Время нарастания импульса открытия, Tr: 40 нС
• Входная емкость (затвор-исток), Ci: 130 пФ
• Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор RQ5A030AP можно заменить на:

Нет элементов для замены