Транзистор RQ5H020SP
RQ5H020SP - Транзистор полевой MOSFET структуры P
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: TSMT3
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 0.54 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 45 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 3 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 2 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.19 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 4.5 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 10 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 80 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор RQ5H020SP можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| RSR020P05 |
SMD |
P |
0.54 |
45 |
20 |
3 |
2 |
0.19 |
4.5 |
10 |
80 |
150 |
TSMT3 |
| RSR020P05FRA |
SMD |
P |
0.54 |
45 |
20 |
3 |
2 |
0.19 |
4.5 |
10 |
80 |
150 |
TSMT3 |