Транзистор RQ6E050AT
RQ6E050AT - Транзистор полевой MOSFET структуры P
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: TSMT6
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 1.25 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 30 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 2.5 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 5 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.027 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 20.8 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 16 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 170 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор RQ6E050AT можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| RQ7E055AT |
SMD |
P |
1.5 |
30 |
20 |
2.5 |
5.5 |
0.027 |
20.8 |
16 |
170 |
150 |
TSMT8 |