Транзистор RQA0008RXDQS
RQA0008RXDQS - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: UPAK
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 10 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 16 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 5 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 2.4 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.6 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: -
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 25 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор RQA0008RXDQS можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| AM20N10-350D |
SMD |
N |
50 |
100 |
20 |
1 |
9 |
0.42 |
3.3 |
7 |
22 |
175 |
TO-252 |
| AOD2922 |
SMD |
N |
17 |
100 |
20 |
2.7 |
7 |
0.14 |
- |
3 |
19 |
175 |
TO-252 |
| AON7446 |
SMD |
N |
16.7 |
60 |
20 |
3.3 |
8 |
0.145 |
- |
1.5 |
25 |
150 |
DFN3X3 |
| FDD2512 |
SMD |
N |
42 |
150 |
20 |
4 |
6.7 |
0.42 |
- |
3.5 |
22 |
175 |
TO-252 |