Транзистор RQA0010VXDQS
RQA0010VXDQS - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: UPAK
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 9 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 16 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 5 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 1.2 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 1.43 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: -
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 12 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор RQA0010VXDQS можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| RQA0010UXAQS |
SMD |
N |
9 |
16 |
5 |
- |
1.2 |
1.43 |
- |
- |
12 |
150 |
UPAK |