Транзистор RSD046P05FRA
RSD046P05FRA - Транзистор полевой MOSFET структуры P
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: SC-63
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 15 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 45 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 3 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 4.5 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.155 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 12 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 8 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 100 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор RSD046P05FRA можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| RSD046P05 |
SMD |
P |
15 |
45 |
20 |
3 |
4.5 |
0.155 |
12 |
8 |
100 |
150 |
SC-63 |