Транзистор RSD080N06FRA
RSD080N06FRA - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: SC-63
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 15 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 60 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 2.5 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 8 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.08 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 9.4 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 13 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 90 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор RSD080N06FRA можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| SQS462EN |
SMD |
N |
33 |
60 |
20 |
2.5 |
8 |
0.063 |
8 |
9 |
72 |
175 |
PowerPAK1212-8 |
| WFU20N06 |
PTH |
N |
36 |
60 |
20 |
2.5 |
20 |
0.039 |
7.6 |
12.6 |
68 |
150 |
TO-251 |