Транзистор RSD100N10FRA
RSD100N10FRA - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: SC-63
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 20 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 100 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 2.5 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 10 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.133 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 18 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 17 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 65 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор RSD100N10FRA можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| AFN1530 |
PTH |
N |
75 |
100 |
20 |
2.5 |
15 |
0.115 |
10 |
8 |
50 |
150 |
TO-220 |