Транзистор RSD160P05
RSD160P05 - Транзистор полевой MOSFET структуры P
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: CPT3
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 20 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 45 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 16 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.035 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 22 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 250 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор RSD160P05 можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| MTB032P06V8 |
SMD |
P |
36 |
60 |
25 |
- |
25 |
0.029 |
- |
12 |
109 |
150 |
DFN3X3 |
| MTB25P06FP |
PTH |
P |
100 |
60 |
20 |
- |
52 |
0.0188 |
62 |
18 |
164 |
175 |
TO-220FP |
| SQJ469EP |
SMD |
P |
100 |
80 |
20 |
2.5 |
32 |
0.025 |
101 |
16 |
250 |
175 |
PowerPAKSO-8L |
| STP601D |
SMD и PTH |
P |
60 |
60 |
20 |
3 |
30 |
0.03 |
58 |
15 |
240 |
150 |
TO-251,TO-252 |