Транзистор RSD175N10
RSD175N10 - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: CPT3
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 20 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 100 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 17.5 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.075 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 24 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 25 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 85 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор RSD175N10 можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| PSMN075-100MSE |
SMD |
N |
65 |
100 |
20 |
4 |
18 |
0.071 |
16.4 |
5.8 |
66 |
175 |
LFPAK33 |