Транзистор RSH070P05TB1
RSH070P05TB1 - Транзистор полевой MOSFET структуры P
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: SOP-8
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 2 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 45 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 2.5 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 7 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.027 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 34 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 35 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 510 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор RSH070P05TB1 можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| QM6015S |
SMD |
P |
5.2 |
60 |
20 |
2.5 |
11 |
0.025 |
25 |
23.6 |
224 |
150 |
SOP-8 |
| RSS070P05 |
SMD |
P |
2 |
45 |
20 |
2.5 |
7 |
0.027 |
34 |
35 |
510 |
150 |
SOP-8 |