Справочник электронных компонентов

Транзистор RSJ450N04

RSJ450N04 - Транзистор полевой MOSFET структуры N

Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
Корпус: D2PAK

Основные характеристики:

Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 50 Вт
Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 40 В
Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
Максимальный постоянный ток стока, Id: 45 А
Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.0095 Ом
Общий заряд затвора, Qg: 43 нКл
Время нарастания импульса открытия, Tr: 225 нС
Входная емкость (затвор-исток), Ci: 380 пФ
Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор RSJ450N04 можно заменить на:

НАЗВАНИЕ	ТИП	СТР.	Pd, Вт	Vds, В	Vgs, В	Vgsth, В	Id, А	Rds, Ом	Qg, нКл	Tr, нС	Ci, пФ	Tj, гр.Ц	КОРПУС
AP9468GH-HF	SMD	N	89	40	20	-	75	0.007	36	62	365	150	TO-252
AP9468GJ	PTH	N	89	40	20	1.5	75	0.007	36	62	365	150	TO-251
AP9468GJ-HF	PTH	N	89	40	20	-	75	0.007	36	62	365	150	TO-251
AP9468GP-HF	PTH	N	89	40	20	-	80	0.007	36	62	365	150	TO-220
AP9468GS-HF	SMD	N	89	40	20	-	80	0.007	36	62	365	150	TO-263
BUK768R3-60E	SMD	N	137	60	20	4	75	0.0083	43.1	27	319	175	D2PAK