Транзистор RSR010N10
RSR010N10 - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: TSMT3
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 1 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 100 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 1 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.37 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 9 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 20 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор RSR010N10 можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| AOH3106 |
SMD |
N |
3.1 |
100 |
20 |
2 |
2 |
0.36 |
- |
2.8 |
19 |
150 |
SOT-223 |
| BSS123N3 |
SMD |
N |
1.38 |
100 |
20 |
- |
1.7 |
0.26 |
- |
1.2 |
15 |
150 |
SOT-23 |