Транзистор RSS050P03FU6TB
RSS050P03FU6TB - Транзистор полевой MOSFET структуры P
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: SOP-8
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 2 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 30 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 2.5 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 5 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.042 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 13 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 25 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 250 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор RSS050P03FU6TB можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| QM4003S |
SMD |
P |
3.5 |
40 |
20 |
2.5 |
8.6 |
0.032 |
11.5 |
15.7 |
134 |
150 |
SOP-8 |
| QM4013S |
SMD |
P |
3.1 |
40 |
20 |
2.5 |
7.5 |
0.04 |
9 |
12.8 |
108 |
150 |
SOP-8 |
| RSS050P03TB |
SMD |
P |
2 |
30 |
20 |
2.5 |
5 |
0.042 |
13 |
25 |
250 |
150 |
SOP-8 |