Справочник электронных компонентов

Транзистор RT1E050RP

RT1E050RP - Транзистор полевой MOSFET структуры P

Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
Корпус: TSST8

Основные характеристики:

Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 1.25 Вт
Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 30 В
Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
Максимальный постоянный ток стока, Id: 5 А
Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.026 Ом
Общий заряд затвора, Qg: -
Время нарастания импульса открытия, Tr: 15 нС
Входная емкость (затвор-исток), Ci: 180 пФ
Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор RT1E050RP можно заменить на:

НАЗВАНИЕ	ТИП	СТР.	Pd, Вт	Vds, В	Vgs, В	Vgsth, В	Id, А	Rds, Ом	Qg, нКл	Tr, нС	Ci, пФ	Tj, гр.Ц	КОРПУС
AM3431P	SMD	P	2	30	20	1	7.5	0.024	19	5	163	150	TSOP-6
AO4419	SMD	P	3.1	30	20	2.5	9.7	0.02	-	5.5	180	150	SO-8
AON3419	SMD	P	3.1	30	20	2.5	10	0.019	-	5.5	180	150	DFN3X3
AON4421	SMD	P	2.5	30	20	1.8	8	0.026	-	7	170	150	DFN2X3
AP2616GY-HF	SMD	P	2	30	20	-	7.4	0.024	-	7	125	150	SOT-26
MTP4835L3	SMD	P	3.3	30	25	-	13	0.021	251	5	141	175	SOT-223
MTP6405N6	SMD	P	3.2	30	20	-	8.2	0.024	-	7	143	150	SOT-26
MTP9435BDYAQ8	SMD	P	2.5	30	20	-	8.4	0.023	-	7	143	150	SOP-8
MTP9435BDYQ8	SMD	P	2.5	30	20	-	8.4	0.022	-	7	143	150	SOP-8
RQ1E050RP	SMD	P	1.5	30	20	-	5	0.022	-	15	180	150	TSMT8
SM4310PSK	SMD	P	3.1	30	20	-	9.3	0.024	-	8	150	150	SOP-8
TSM4415CS	SMD	P	3	30	25	3	8	0.026	18.1	4.4	172.8	150	SOP-8