Транзистор RTQ025P02FRA
RTQ025P02FRA - Транзистор полевой MOSFET структуры P
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: TSMT6
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 1.25 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 20 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 12 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 2 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 2.5 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.1 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 6.4 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 20 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 110 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор RTQ025P02FRA можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| AFP2319A |
SMD |
P |
1.25 |
40 |
20 |
2 |
3 |
0.1 |
5 |
15 |
65 |
150 |
SOT-23 |
| AFP9566W |
SMD |
P |
2.8 |
30 |
20 |
2 |
5 |
0.08 |
5 |
15 |
65 |
150 |
SOP-8P |
| RTQ025P02TR |
SMD |
P |
1.25 |
20 |
12 |
2 |
2.5 |
0.1 |
6.4 |
20 |
110 |
150 |
TSMT6 |