Транзистор RTQ035N03FRA
RTQ035N03FRA - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: TSMT6
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 1.25 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 30 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 12 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 1.5 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 3.5 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.054 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 4.6 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 12 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 90 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор RTQ035N03FRA можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| RTQ035N03TR |
SMD |
N |
1.25 |
30 |
12 |
1.5 |
3.5 |
0.054 |
4.6 |
12 |
90 |
150 |
TSMT6 |