Транзистор RTR020P02FRA
RTR020P02FRA - Транзистор полевой MOSFET структуры P
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: TSMT3
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 1 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 20 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 12 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 2 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 2 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.135 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 4.9 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 13 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 80 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор RTR020P02FRA можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| AFP8995 |
SMD |
P |
1.45 |
30 |
20 |
2 |
4.6 |
0.125 |
2.5 |
10 |
50 |
150 |
SOT-89 |
| RTR020P02 |
SMD |
P |
1 |
20 |
12 |
2 |
2 |
0.135 |
4.9 |
13 |
80 |
150 |
TSMT3 |
| RTR020P02TL |
SMD |
P |
1 |
20 |
12 |
2 |
2 |
0.135 |
4.9 |
13 |
80 |
150 |
TSMT3 |