Транзистор RTR025N03TL
RTR025N03TL - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: TSMT3
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 1 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 30 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 12 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 1.5 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 2.5 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.092 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 3.3 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 15 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 60 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор RTR025N03TL можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| AFN3424 |
SMD |
N |
2 |
30 |
20 |
1.5 |
3.6 |
0.075 |
2.3 |
12 |
40 |
150 |
SOT-23 |
| AFN3424A |
SMD |
N |
1.25 |
30 |
20 |
1.5 |
3.6 |
0.085 |
2.3 |
12 |
40 |
150 |
SOT-23 |
| AFN3436 |
SMD |
N |
2 |
30 |
20 |
1.5 |
3.6 |
0.072 |
2.3 |
12 |
40 |
150 |
TSOP-6 |
| RTR025N03FRA |
SMD |
N |
1 |
30 |
12 |
1.5 |
2.5 |
0.092 |
3.3 |
15 |
60 |
150 |
TSMT3 |